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·         氧化擴散系統                                                                              回儀器列表

儀器負責教授:電機系 張忠誠 老師

主要儀器: 氧化擴散系統

收費標準:

服務項目

工作內容

收費標準

乾氧(Dry-Oxide)

晶圓之氧化層成長

以小時計費,不足一小時
以一小時計算。
400
/(本校)
800
/(他校)
1000
/(非營利單位)
1250
/(營利單位)

濕氧(Wet-Oxide)

晶圓之氧化層成長

磷預沈積(POCL3 Pre-Deposition)

沈積磷於矽晶圓上

磷驅入(POCL3 Drive-In)

以高溫將磷驅入矽晶圓

硼擴散(Boron Diffusion)

擴散硼並驅入於矽晶圓

 

儀器介紹:

http://140.121.202.105/siuc/image/instrument/oxisp.jpg

名稱

氧化擴散系統

放置地點

電機304

負責教授

張忠誠 教授

儀器管理員

實驗室同學

儀器管理員
聯絡方式

分機62096223

儀器簡介

        半導體工業的製造方法是於矽半導體上製造具精密複雜的積體電路之電子元件,其中氧化及擴散製程為半導體工業發展不可或缺之技術,因此普遍為業界及學業廣泛使用。
        
本系氧化擴散系統設備自九十四年建置後,主要應用於學校電子、光電、微機電系統技術等奈微米科技與生物科技相關研究、教學及服務。近年來為配合本校奈米科技學程的推動,因此也參與相關學程之教學 (9495學年教學卓越計畫-課程名稱:半導體暨微機電製程實驗)
        
為配合校內儀器資源整合及貴重儀器中心成立,並加強對校內老師以及校外單位之服務,因此希望加入本校貴重儀器中心,由中心統一管理對校內外之服務,提升本套設備之貢獻度。 

服務項目

1. 乾氧(Dry-Oxide)
2. 
濕氧(Wet-Oxide)
3. 
磷預沈積(POCL3Pre-Deposition)
4. 
磷驅入(POCL3 Drive-In)
5. 
硼擴散(Boron Diffusion) 

開放預約時間

: 00:00 ~ 23:50  
: 00:00 ~ 23:50  
: 00:00 ~ 23:50  
: 00:00 ~ 23:50  
: 00:00 ~ 23:50  
: 00:00 ~ 23:50  
: 00:00 ~ 23:50  
 

開放使用時間

: 09:00 ~ 13:00  
: 09:00 ~ 13:00  14:00 ~ 18:00  
: 09:00 ~ 13:00  14:00 ~ 18:00  
: 09:00 ~ 13:00  
 

 

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